RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB vs Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Puntuación global
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
66
En -175% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
1,433.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR5
Latencia en PassMark, ns
66
24
Velocidad de lectura, GB/s
3,234.7
13.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,433.1
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
no data / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
462
3436
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link