RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
20.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
65
En -160% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.8
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
25
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
16.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
4060
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link