RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
65
En -242% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
19
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
19.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
3359
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link