RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
65
En -141% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.4
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
27
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
17.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
3845
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link