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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
12.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
65
En -67% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
18200
5300
En 3.43 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
39
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
12.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
18200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-18200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
no data
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
2169
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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