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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
65
En -150% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.9
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
26
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
13.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
1931
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston KTD3KX-MIB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
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