RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
56
65
En -16% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
56
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
2235
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link