RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
30
En 20% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.8
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
30
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
18.8
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
3649
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link