RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
33
En 27% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.3
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
33
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
19.3
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
3423
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link