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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
27
En 11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
15.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
27
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2291
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
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Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
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