RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
24
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
23
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2709
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link