RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
35
En 31% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
16
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
35
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2933
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link