RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
15.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
24
En -4% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
23
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2639
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link