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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
29
En 17% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
19200
En 1.22 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
29
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
23400
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
3544
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
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