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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
35
En 31% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
16
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
35
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
3271
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
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