RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
94
En 74% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
13.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
94
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2771
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kingston 9905428-401.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link