RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
24
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
22
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
3172
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston DDR2 PC800MHz 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link