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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
26
En -30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
7.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
20
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.6
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1610
3359
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
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