RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Compara
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
27
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.1
13
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.9
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
24
Velocidad de lectura, GB/s
13.0
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
18.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1976
4207
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston 99P5429-006.A00Ls 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link