RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Compara
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
54
57
En -6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
57
54
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1244
2511
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link