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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Compara
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
38
En 37% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.3
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
38
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
19.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2402
3246
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
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