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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Compara
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
35
En 49% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
15.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
9.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
18
35
Velocidad de lectura, GB/s
17.7
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
13.1
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2926
2502
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
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A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
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