RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Compara
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Puntuación global
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
73
En -152% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
4.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
29
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
4.7
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1021
2513
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link