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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Compara
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Puntuación global
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
73
En -152% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
4.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
29
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
4.7
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1021
3273
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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