RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Compara
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Puntuación global
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Puntuación global
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
73
En 49% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
73
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1853
1843
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905471-017.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX3M2A1600C8 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Micron Technology 16HTF25664AY-800E1 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link