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Kingston 99U5403-034.A00G 4GB
Kingston 99U5471-001.A00LF 2GB

Kingston 99U5403-034.A00G 4GB vs Kingston 99U5471-001.A00LF 2GB

Puntuación global
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Kingston 99U5403-034.A00G 4GB

Kingston 99U5403-034.A00G 4GB

Puntuación global
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Kingston 99U5471-001.A00LF 2GB

Kingston 99U5471-001.A00LF 2GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Kingston 99U5403-034.A00G 4GB Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5403-034.A00G 4GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    25 left arrow 26
    En 4% menor latencia
Kingston 99U5471-001.A00LF 2GB Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5471-001.A00LF 2GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13 left arrow 12.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.6 left arrow 8.2
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5403-034.A00G 4GB
Kingston 99U5471-001.A00LF 2GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    25 left arrow 26
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.8 left arrow 13.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.2 left arrow 8.6
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2164 left arrow 1893

Kingston 99U5403-034.A00G 4GB Comparaciones de la memoria RAM

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Memoria RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
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Memoria RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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Memoria RAM
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Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Memoria RAM
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Kingston 9905702-029.A00G 8GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
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