RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Compara
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB vs Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Puntuación global
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
27
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2298
3029
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link