RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Compara
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Puntuación global
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
73
En 64% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
13
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
73
Velocidad de lectura, GB/s
13.0
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2030
1724
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link