RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Compara
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
37
En -68% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
22
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2102
3075
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link