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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Compara
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
42
En 5% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.9
12.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
42
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
12.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2078
2701
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
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