RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Compara
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Puntuación global
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
41
En 32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.5
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.7
6.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
41
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
7.8
Velocidad de escritura, GB/s
6.7
6.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1857
1512
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905474-043.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link