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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Compara
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
11.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
40
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
34
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
11.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2125
2319
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
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