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Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Compara
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB vs G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Puntuación global
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
30
En -25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.5
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.2
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
24
Velocidad de lectura, GB/s
12.5
19.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
18.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1917
3990
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Elpida EBJ41HE4BDFA-DJ-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
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