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Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Compara
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Puntuación global
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
35
En 14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.5
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.5
10.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1917
2124
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
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