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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Compara
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Puntuación global
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
48
En 44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.5
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
6.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
27
48
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1756
2055
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
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