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Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Compara
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB vs Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Puntuación global
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Puntuación global
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
En 1.21% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
51
En -19% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.8
11.6
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
51
43
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
11.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1540
1889
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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