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Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Compara
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Puntuación global
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston HX318C10FK/4 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
69
En -77% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.5
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
4.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
14900
En 1.29 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
39
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
11.5
Velocidad de escritura, GB/s
4.1
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
19200
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1116
1881
Kingston HX318C10FK/4 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
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