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Kingston K531R8-MIN 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Compara
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Puntuación global
Kingston K531R8-MIN 4GB
Puntuación global
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston K531R8-MIN 4GB
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Razones a tener en cuenta
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
28
En -12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston K531R8-MIN 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
25
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2445
2786
Kingston K531R8-MIN 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
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