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Kingston KF548C38-16 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

Kingston KF548C38-16 16GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

Puntuación global
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Kingston KF548C38-16 16GB

Kingston KF548C38-16 16GB

Puntuación global
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Kingston KF548C38-16 16GB Razones a tener en cuenta
Kingston KF548C38-16 16GB
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  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.8 left arrow 12.2
    Valor medio en las pruebas
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    15.8 left arrow 14.8
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KF548C38-16 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR5 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    29 left arrow 29
  • Velocidad de lectura, GB/s
    14.8 left arrow 15.8
  • Velocidad de escritura, GB/s
    12.8 left arrow 12.2
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 38 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    no data / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    3319 left arrow 2865

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Memoria RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Memoria RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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Memoria RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
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Memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
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Memoria RAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
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