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Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Compara
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Puntuación global
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
14.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
38
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
14200
En 1.35 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
25
Velocidad de lectura, GB/s
15.2
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
14200
19200
Other
Descripción
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2496
2427
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
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