RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Compara
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Puntuación global
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
37
En -106% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.4
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.2
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
18
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
20.4
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
17.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2595
3814
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Golden Empire CL11-12-12 D3-2400 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link