RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Compara
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Puntuación global
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
60
En -140% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.4
5.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
14900
En 1.29 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
25
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.4
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
19200
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1411
2104
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology C 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston 99U5402-073.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Informar de un error
×
Bug description
Source link