Comparación de la memoria RAM Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Puntuación global

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

60 71

En 15% menor latencia

Razones a tener en cuenta
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

15.6 6.8

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

6.4 5.4

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

21300 14900

En 1.43 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj

9-10-9-28 / 1866 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1411 1650

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns