RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Compara
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Puntuación global
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
31
En 16% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.4
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
31
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
21.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2432
3809
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link