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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Compara
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
28
En 7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
13.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2432
2179
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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