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Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Compara
Kingston KVT8FP-HYC 4GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Puntuación global
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
40
En -135% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.9
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.0
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
17
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
20.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
16.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2432
3550
Kingston KVT8FP-HYC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KL9A 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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