RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
38
En 13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
15
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
38
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
3005
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ASU1333D3S9DR8/2G 2GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Mushkin 994083 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link