RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
33
En -10% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
30
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
12.0
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
2034
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link