RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Compara
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Puntuación global
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
31
En 6% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
10.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
31
Velocidad de lectura, GB/s
10.5
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1425
3112
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kllisre M393B1K70DH0-CK0 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link