RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Compara
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
40
En -25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
32
Velocidad de lectura, GB/s
13.6
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2035
2868
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link